Struktur internal dioda pemulihan cepat berbeda dengan dioda sambungan PN biasa yang termasuk dioda sambungan PIN, yaitu daerah basis I ditambahkan di tengah bahan silikon tipe P dan bahan silikon tipe N untuk membentuk PIN. wafer silikon. Karena daerah basis sangat tipis, muatan pemulihan balik sangat kecil, sehingga waktu pemulihan balik dioda pemulihan cepat lebih pendek, penurunan tegangan maju lebih rendah, dan tegangan tembus balik (nilai tegangan tahan) lebih tinggi.