Silikon karbida SiC adalah bahan semikonduktor senyawa yang tersusun dari silikon Si dan karbon C, biasanya dalam jenis kristal 4H-SiC. Kekuatan medan tembus insulasinya 10 kali lipat dari Si, celah energinya 3 kali lipat dari Si, konduktivitas termalnya 3 kali lipat dari Si, dan kecepatan penyimpangan saturasinya 2 kali lipat dari Si. Ini adalah material perangkat elektronika daya yang sangat unggul dibandingkan Si.