Dengan struktur dioda penghalang Schottky frekuensi tinggi, SiC SBD mencapai tegangan tinggi lebih dari 600V, sedangkan tegangan ketahanan maksimum silikon SBD hanya sekitar 200V, dan penurunan tegangan dalam keadaan jauh lebih rendah dibandingkan dengan dioda pemulihan cepat silikon. waktu pemulihan pematiannya lebih kecil, sehingga kerugian pematian lebih rendah, sehingga menghasilkan EMI interferensi elektromagnetik yang lebih rendah. Penggunaan SiC SBD untuk menggantikan dioda pemulihan cepat silikon produk utama FRD, dapat secara signifikan mengurangi total kerugian, meningkatkan efisiensi catu daya, dan melalui operasi frekuensi tinggi untuk mencapai miniaturisasi komponen pasif seperti induktor dan kapasitor , dan interferensi elektromagnetik EMI lebih rendah. SBD silikon karbida dapat digunakan secara luas pada AC, catu daya, inverter dalam sistem pembangkit listrik fotovoltaik, sistem tarik motor untuk kendaraan listrik, dan pengisi daya cepat.